近年來，半導體行業發展迅速，以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體快速發展，其應用市場也隨之迎來快速增長。近日，毅達資本投資英諾賽科，為“雙碳”背景下我國半導體材料的自主研發再次助力。
英諾賽科成立于2015年，專注于8英寸硅基氮化鎵器件的研發和制造，目前立足于珠海和蘇州兩大生產基地，是全球第三代半導體硅基氮化鎵領域的龍頭企業之一。氮化鎵作為第三代半導體材料，憑借優異的物理特性，給產業應用帶來巨大的系統優勢，前景非常廣闊。隨著規模化生產技術的成熟，氮化鎵將成為未來功率半導體的主流，其需求將在消費電子、數據中心、5G基站、新能源車等多個領域迎來爆發式增長。
英諾賽科的核心技術團隊由半導體和（電力）電子行業專家和資深人士組成，在硅基氮化鎵技術的開發和大規模量產方面擁有豐富的經驗，填補了國內在該領域的空白。公司還匯集了系統工程領域的專家，其技術實力和自主研發能力在全球已處于領先地位。
本輪融資將繼續支持英諾賽科加速技術迭代，繼續提升業務規模、擴大技術領先優勢，為國產氮化鎵芯片的崛起貢獻力量。
